Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJK03M6DNS-00#J5
Изображение служит лишь для справки
RJK03M6DNS-00#J5
- Renesas
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin HWSON Embossed T/R
- Date Sheet
Lagernummer 22514
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства:8-HWSON (3.3x3.3)
- Прямоходящий ток вывода Id:16
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A (Ta)
- Mfr:Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния:12.5W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.2mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1190 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.1 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 22514
Итого $0.00000