PHD20N06T，118

Name: NXP PHD20N06T，118
Brand: NXP
Rating: 4.6 (16 reviews)

NXP
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
Radial
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：Radial
Поставщик упаковки устройства：DPAK
Материал диэлектрика：Polypropylene (PP), Metallized
Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
Номинальное напряжение DC：1000V (1kV)
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：NXP USA Inc.
Максимальная мощность рассеяния：51W (Tc)
Состояние продукта：Active
Рабочая температура：-55°C ~ 100°C
Серия：MKP1840M
Пакетирование：Bulk
Размер / Размерность：0.689 L x 0.335 W (17.50mm x 8.50mm)
Допуск：±10%
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
Завершение：PC Pins
Применение：DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT
Капацитивность：0.068µF
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Расстояние между выводами：0.591 (15.00mm)
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：77mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：422 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-
Характеристики：--
Высота сидения (макс.)：0.591 (15.00mm)
Оценки：--

Со склада 0

Итого $0.00000