Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFB5615PBFXKMA1
Изображение служит лишь для справки
IRFB5615PBFXKMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 0402 (1005 Metric)
- MOSFET N-CH
- Date Sheet
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:0402 (1005 Metric)
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:0402
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:RN73R1E
- Mfr:KOA Speer Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:35A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:144W (Tc)
- Рабочая температура:-55°C ~ 155°C
- Серия:RN73R
- Размер / Размерность:0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
- Допуск:±0.5%
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±50ppm/°C
- Сопротивление:11 kOhms
- Состав:Thin Film
- Мощность (ватт):0.063W, 1/16W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Срок службы:-
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:39mOhm @ 21A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1750 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:40 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):150 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
- Высота сидения (макс.):0.016 (0.40mm)
- Оценки:AEC-Q200
Со склада 21
Итого $0.00000