SI7615BDN-T1-GE3

Name: Vishay SI7615BDN-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.9 (18 reviews)

Vishay
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® 1212-8
Transistor MOSFET P-CH 20V 104A 8-Pin PowerPAK 1212
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8
Пакет：Retail Package
Mfr：Glenair
Состояние продукта：Active
Прямоходящий ток вывода Id：104
Основной номер продукта：SI7615
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：29A (Ta), 104A (Tc)
Максимальная мощность рассеяния：5.2W (Ta), 66W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
Распад мощности：66 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：103 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.8 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：104 A
Серия：*
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：66
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.8mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4890 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：155 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
Угол настройки (макс.)：±12V
Характеристика ТРП：-

Со склада 0

Итого $0.00000