(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK9K6R8-40E
Изображение служит лишь для справки
BUK9K6R8-40E
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Bipolar Transistors MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BUK9K6R8-40E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Nexperia
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Ранг риска：5.38
- Максимальный ток утечки (ID)：40 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0072 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：265 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
