(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF75309P3
Изображение служит лишь для справки
HUF75309P3
-
HARRIS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：SG-8101
- Mfr：EPSON
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：19A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：55W (Tc)
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SG-8101
- Размер / Размерность：0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
- Тип：XO (Standard)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение - Питание：1.8V ~ 3.3V
- Частота：29.7 MHz
- Частотная стабильность：±15ppm
- Выход：CMOS
- Функция：Standby (Power Down)
- Базовый резонатор：Crystal
- Ток - Питание (Макс.)：6.8mA (Typ)
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：1.1µA
- Ширина спектра разброса：-
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70mOhm @ 19A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：350 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24 nC @ 20 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Характеристика ТРП：-
- Высота сидения (макс.)：0.051 (1.30mm)
- Оценки：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
