(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQP6N50
Изображение служит лишь для справки
FQP6N50
-
Fairchild
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-DIP Module
- MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：6-DIP Module
- Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
- Пакет：Tray
- Напряжение-выход 1：5V
- Mfr：ABB Power Electronics Inc.
- Состояние продукта：Obsolete
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：98W (Tc)
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SW003
- Размер / Размерность：1.10 L x 0.96 W x 0.34 H (27.9mm x 24.4mm x 8.5mm)
- Тип：Isolated Module
- Применение：ITE (Commercial)
- Мощность (ватт)：15 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Количество выходов：1
- Коэффициент эффективности：86%
- Токовая изоляция：2.25 kV
- Напряжение - Вход (Макс)：75V
- Напряжение - Вход (Мин.)：36V
- Ток - Выход (Макс)：3A
- Напряжение - Выход 2：-
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.3Ohm @ 2.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：790 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Напряжение - Выход 3：-
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：OCP, OVP, UVLO
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
