Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMTH10H032LPSWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMTH10H032LPSWQ-13
- Diodes
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
- Date Sheet
Lagernummer 2499
- 1+: $0.75105
- 10+: $0.70854
- 100+: $0.66844
- 500+: $0.63060
- 1000+: $0.59491
Zwischensummenbetrag $0.75105
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства:PowerDI5060-8 (Type UX)
- Пакет:Bulk
- Mfr:Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Основной номер продукта:DMTH10
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:33A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.4W (Ta), 68W (Tc)
- Рабочая температура:-10°C ~ 60°C
- Серия:SXT324
- Размер / Размерность:0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- Тип:MHz Crystal
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Частота:50 MHz
- Частотная стабильность:±25ppm
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление):35 Ohms
- Емкость нагрузки:18pF
- Режим работы:Fundamental
- Допустимая частотная неопределенность:±10ppm
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:32mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:683 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11.9 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Высота сидения (макс.):0.031 (0.80mm)
- Оценки:-
Со склада 2499
- 1+: $0.75105
- 10+: $0.70854
- 100+: $0.66844
- 500+: $0.63060
- 1000+: $0.59491
Итого $0.75105