BUK964R8-60E

Name: NXP BUK964R8-60E
Brand: NXP
Rating: 4.6 (11 reviews)

NXP
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Материал：Aluminum
Форма：Rectangular, Fins
Пакет охлаждаемый：Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
Отделка материала：Blue Anodized
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BUK964R8-60E
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Nexperia
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NEXPERIA
Ранг риска：5.34
Максимальный ток утечки (ID)：100 A
Серия：pushPIN™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：Top Mount
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：not_compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Метод крепления：Push Pin
Высота над основанием (Высота лопасти)：0.230 (5.84mm)
Тепловое сопротивление при принудительном воздушном потоке：25.23°C/W @ 100 LFM
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0048 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：596 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：273 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Тепловое сопротивление при естественном охлаждении：--
Расход мощности @ Температурный подъем：--
Ширина：1.450 (36.83mm)
Длина：2.280 (57.90mm)
Диаметр：--

Со склада 0

Итого $0.00000