Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC067N06LS3
Изображение служит лишь для справки
BSC067N06LS3
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8
- РХОС:Non-Compliant
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:15A (Ta), 79A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 69W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:OptiMOS™ 3
- Допуск:1 %
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:100 ppm/°C
- Сопротивление:9.53 kΩ
- Состав:Metal Film
- Мощность рейтинга:250 mW
- Максимальная потеря мощности:250 mW
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6.7mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 35µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5100 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:67 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant
- Длина:8.7376 mm
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000