(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SUM110N06-3M4L-E3
Изображение служит лишь для справки
SUM110N06-3M4L-E3
-
Electro Films
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263 (D2Pak)
- Напряжение, классификация：150 V
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：110A (Tc)
- Другие Названия：SUM110N06-3M4L-E3TR SUM110N063M4LE3
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.75W (Ta), 375W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：TrenchFET®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Допуск：0.1 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Коэффициент температурной зависимости：50 ppm/°C
- Сопротивление：698 kΩ
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Мощность рейтинга：250 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.4 mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12900pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：300nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Высота：650 µm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
