(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP260N06N3GXKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPP260N06N3GXKSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO-220-3
- Напряжение, классификация：150 V
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A (Tc)
- Другие Названия：IPP260N06N3 G IPP260N06N3 G-ND SP000453638 SP000680918
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：36W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tube
- Допуск：0.25 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Коэффициент температурной зависимости：50 ppm/°C
- Сопротивление：2.13 kΩ
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Мощность рейтинга：500 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26 mOhm @ 27A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 11µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Высота：650 µm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
