(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP125H6327XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BSP125H6327XTSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT223-4
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120mA (Ta)
- Другие Названия：BSP125H6327XTSA1DKR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：SIPMOS®
- Пакетирование：Original-Reel®
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45 Ohm @ 120mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 94µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.6nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
