(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTHD4P02FT1G
Изображение служит лишь для справки
NTHD4P02FT1G
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Поставщик упаковки устройства：ChipFET™
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.2A (Tj)
- Другие Названия：NTHD4P02FT1GOSCT
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.1W (Tj)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：300pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
