Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQT7N10TF
Изображение служит лишь для справки
FQT7N10TF
- AMI Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-261-4, TO-261AA
- Поставщик упаковки устройства:SOT-223-4
- Напряжение, классификация:150 V
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.7A (Tc)
- Другие Названия:FQT7N10TF-ND FQT7N10TFTR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:2W (Tc)
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:QFET®
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Допуск:0.5 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Коэффициент температурной зависимости:25 ppm/°C
- Сопротивление:2.37 kΩ
- Максимальная рабочая температура:155 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Состав:Thin Film
- Мощность рейтинга:125 mW
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 850mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:250pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Характеристика ТРП:-
- Высота:650 µm
Со склада 0
Итого $0.00000