(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRC830PBF
Изображение служит лишь для справки
IRC830PBF
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-5
- Поставщик упаковки устройства：TO-220-5
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Tc)
- Другие Названия：*IRC830PBF
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：74W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：610pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：Current Sensing
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
