(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTD18N06-1G
Изображение служит лишь для справки
NTD18N06-1G
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：I-PAK
- Питерные таймеры：No
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W (Ta), 55W (Tj)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：85 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная потеря мощности：696 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Максимальная напряжённость питания：5.5 V
- Минимальная подача напряжения：0 V
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60 mOhm @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Минимальная пороговая напряжение сброса：2.55 V
- Пороговая напряжение сброса максимальное：2.7 V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
