(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS606NH6327XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BSS606NH6327XTSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-243AA
- Количество контактов：2
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT89
- Напряжение, классификация：50 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：50 V
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.2A (Ta)
- Другие Названия：BSS606NH6327XTSA1-ND BSS606NH6327XTSA1TR SP000691152
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1W (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Допуск：10 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Капацитивность：12 nF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Код корпуса (метрический)：2012
- Код корпуса (имперский)：0805
- Диэлектрик：X7R
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60 mOhm @ 3.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 15µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：657pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.6nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Ширина：2 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
