(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI9424BDY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI9424BDY-T1-GE3
-
Electro Films
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.6A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.25W (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：TrenchFET®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：850mV @ 250µA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±9V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
