(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP05CN10NGXKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPP05CN10NGXKSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO-220-3
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
- Другие Названия：IPP05CN10N G IPP05CN10N G-ND IPP05CN10NG IPP05CN10NGIN IPP05CN10NGIN-ND IPP05CN10NGX IPP05CN10NGXK SP000680814
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Пол：Female
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Количество контактов：41
- Стиль контакта：Socket
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.4 mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12000pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：181nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
