Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI8424DB-T1-E1
Изображение служит лишь для справки
SI8424DB-T1-E1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-XFBGA, CSPBGA
- Поставщик упаковки устройства:4-Microfoot
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12.2A (Tc)
- Другие Названия:SI8424DB-T1-E1CT
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.2V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:TrenchFET®
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1950pF @ 4V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):8V
- Угол настройки (макс.):±5V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000