(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJMP990N65EC_T0_00001
Изображение служит лишь для справки
PJMP990N65EC_T0_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET 650V/ 990mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
Date Sheet
Lagernummer 1826
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB-L
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：47.5 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.073899 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Зарядная характеристика ворот：9.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：990 Ohms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：4.7 A
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：47.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：650V SJ MOSFET
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：990mOhm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：306 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Продукт：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1826
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
