PJD80N03_L2_00001

Name: Panjit PJD80N03_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.8 (14 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252AA-3
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 13

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-252AA-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：5 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：55 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.010476 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：12 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：9 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：36 ns
Id - Непрерывный ток разряда：80 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 55W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：NFET-30SMN
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1323 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12 nC @ 4.5 V
Время подъема：42 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 13

Итого $0.00000