(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJD5P10A_L2_00001
Изображение служит лишь для справки
PJD5P10A_L2_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252AA-3
- MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-252AA-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Вес единицы：0.010476 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- РХОС：Details
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.3A (Ta), 5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 30W (Tc)
- Состояние продукта：Not For New Designs
- Серия：NFET-100SMP
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：650mOhm @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：448 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 42
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
