PJD35N06A_L2_00001

Name: Panjit PJD35N06A_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.6 (11 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252AA-3
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 2590

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-252AA-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：7.2 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：63 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.010476 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：28 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：24 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：34 ns
Id - Непрерывный ток разряда：35 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：1.1W (Ta), 63W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：NFET-60SMN
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1680 pF @ 20 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28 nC @ 10 V
Время подъема：38 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2590

Итого $0.00000