(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJQ4460AP_R2_00001
Изображение служит лишь для справки
PJQ4460AP_R2_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：DFN3333-8
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.001076 oz
- Пакетная партия производителя：5000
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Зарядная характеристика ворот：9.3 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：72 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：11 A
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.7A (Ta), 11A (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 20W (Tc)
- Mfr：Panjit International Inc.
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：72mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：509 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.3 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 13
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
