PJQ4409P_R2_00001

Name: Panjit PJQ4409P_R2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.6 (19 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 13

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：DFN3333-8
Номинальное напряжение (постоянное)：200 V
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.001076 oz
Пакетная партия производителя：5000
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：7.8 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：32 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：24 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.5A (Ta), 24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 30W (Tc)
Состояние продукта：Not For New Designs
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Подкатегория：MOSFETs
Мощность рейтинга：500 mW
Технология：Si
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：870 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.8 nC @ 4.5 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 13

Итого $0.00000