(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF9540
Изображение служит лишь для справки
IRF9540
-
Samsung
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRF9540
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Vishay Siliconix
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：VISHAY SILICONIX
- Ранг риска：5.07
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：19 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：72 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：640 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
