Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRHM7250
Изображение служит лишь для справки
IRHM7250
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET Transistor, N-Channel, TO-254AA
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Артикул Производителя:IRHM7250
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:International Rectifier
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Максимальный ток утечки (ID):26 A
- Код упаковки компонента:TO-254AA
- Ранг риска:7.34
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:RADIATION HARDENED
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:S-XSFM-P3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-254AA
- Сопротивление открытого канала-макс:0.11 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:104 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000