Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Non-Compliant
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:JAN2N6770
  • Время включения макс. (ton):225 ns
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Время отключения макс. (toff):300 ns
  • Ранг риска:5.18
  • Код упаковки компонента:TO-3
  • Максимальный ток утечки (ID):12 A
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:2
  • Нормативная Марка:MIL-19500
  • Код JESD-30:O-MBFM-P2
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-204AA
  • Максимальный сливовой ток (ID):12 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.4 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:48 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:500 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):750 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):150 W
  • Максимальная мощность dissipation окружающей среды:4 W

Со склада 0

Итого $0.00000