(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB085N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB085N60EF-GE3
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Date Sheet
Lagernummer 842
- 1+： $5.52294
- 10+： $5.21032
- 100+： $4.91540
- 500+： $4.63717
- 1000+： $4.37469
Zwischensummenbetrag $5.52294
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D²PAK (TO-263)
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：SIHB085
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：34A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Vishay Siliconix
- Максимальная мощность рассеяния：184W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：EF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：84mOhm @ 17A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2733 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 842
- 1+： $5.52294
- 10+： $5.21032
- 100+： $4.91540
- 500+： $4.63717
- 1000+： $4.37469
Итого $5.52294
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
