Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GC11N65M
Изображение служит лишь для справки
GC11N65M
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- GC11N65M
Date Sheet
Lagernummer 727
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：78W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：360mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：768 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 727
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты