(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GT095N10S
Изображение служит лишь для справки
GT095N10S
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- N100V, 21A,RD<9.5M@10V,VTH1.2V~2
Date Sheet
Lagernummer 4017
- 1+： $0.31109
- 10+： $0.29348
- 100+： $0.27687
- 500+： $0.26120
- 1000+： $0.24641
Zwischensummenbetrag $0.31109
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：8W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2131 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29.4 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
Со склада 4017
- 1+： $0.31109
- 10+： $0.29348
- 100+： $0.27687
- 500+： $0.26120
- 1000+： $0.24641
Итого $0.31109
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
