Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SCT3060ARC15
Изображение служит лишь для справки
SCT3060ARC15
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-4
- 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
- Date Sheet
Lagernummer 489
- 1+: $11.24161
- 10+: $10.60530
- 100+: $10.00500
- 500+: $9.43868
- 1000+: $8.90441
Zwischensummenbetrag $11.24161
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-4
- Поставщик упаковки устройства:TO-247-4L
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:SCT3060
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:39A (Tj)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):18V
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния:165W
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5.6 V
- Распад мощности:165 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 4 V, + 22 V
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:58 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:60 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:39 A
- Рабочая температура:175°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:78mOhm @ 13A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5.6V @ 6.67mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:852 pF @ 500 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:58 nC @ 18 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):650 V
- Угол настройки (макс.):+22V, -4V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 489
- 1+: $11.24161
- 10+: $10.60530
- 100+: $10.00500
- 500+: $9.43868
- 1000+: $8.90441
Итого $11.24161