Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPQC60R010S7XTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPQC60R010S7XTMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-HDSOP-22
- MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 944
- 1+: $15.38118
- 10+: $14.51055
- 100+: $13.68920
- 500+: $12.91434
- 1000+: $12.18334
Zwischensummenbetrag $15.38118
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PG-HDSOP-22
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4.5 V
- Распад мощности:694 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 40 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:318 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:10 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:50 A
- Технология:Si
- Каналов количество:1 Channel
Со склада 944
- 1+: $15.38118
- 10+: $14.51055
- 100+: $13.68920
- 500+: $12.91434
- 1000+: $12.18334
Итого $15.38118