(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG7CH30K10EF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- Die
- IGBT CHIP WAFER
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：10A
- Количество элементов：1
- Условия испытания：600V, 10A, 22 Ω, 15V
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：NO LEAD
- Код JESD-30：R-XUUC-N2
- Конфигурация：SINGLE
- Входной тип：Standard
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：38.5 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.56V @ 15V, 10A
- Время выключения (toff)：311 ns
- Тип ИGBT：Trench
- Зарядная мощность：4.8nC
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：10ns/90ns
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：30V
- Максимальное напряжение на выходе：2.2 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7.5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
