(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGA7N60B
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Date Sheet
Lagernummer 11
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Вес：1.59999g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：480V, 7A, 22 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HiPerFAST™
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Максимальная потеря мощности：54W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：IXG*7N60
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：54W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：14A
- Время включения：25 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 7A
- Время выключения (toff)：450 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：25nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：30A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：9ns/100ns
- Переключаемый энергопотребление：70μJ (on), 300μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
