(0)
Изображение служит лишь для справки
IXYY8N90C3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
Date Sheet
Lagernummer 505
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес：3.949996g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：900V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：450V, 8A, 30 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：GenX3™, XPT™
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：125W
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：125W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
- Максимальный ток сбора：20A
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Время включения：39 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 8A
- Время выключения (toff)：238 ns
- Зарядная мощность：13.3nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：48A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/40ns
- Переключаемый энергопотребление：460μJ (on), 180μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 505
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
