(0)
Изображение служит лишь для справки
GPA030A135MN-FDR
-
SemiQ
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3PN
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：60A
- Условия испытания：600V, 30A, 5Ohm, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：329W
- Время обратной рекомпенсации：450ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1350V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 30A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：300nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：30ns/145ns
- Переключаемый энергопотребление：4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
