![](https://static.whisyee.com/dimg/stmicroelectronics-stpsc2006cw-4626.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
STGW20IH125DF
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 1250V 40A 259W TO-247
Date Sheet
Lagernummer 762
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:32 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Количество контактов:3
- Вес:38.000013g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:1.25kV
- Количество элементов:1
- Условия испытания:600V, 15A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:259W
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STGW20
- Конфигурация элемента:Single
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:259W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.25kV
- Максимальный ток сбора:40A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1250V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 15A
- Время выключения (toff):285 ns
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:68nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):80A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:-/106ns
- Переключаемый энергопотребление:410μJ (off)
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 762
Итого $0.00000