(0)
Изображение служит лишь для справки
FGH40T65SHD-F155
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 650V 80A 268W TO-247
Date Sheet
Lagernummer 223
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вес：6.39g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 40A, 6 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：268W
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：268W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.1V
- Максимальный ток сбора：80A
- Время обратной рекомпенсации：31.8 ns
- Код JEDEC-95：TO-247AB
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 40A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：72.2nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：19.2ns/65.6ns
- Переключаемый энергопотребление：1.01mJ (on), 297μJ (off)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 223
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
