(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW60H65DF
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Date Sheet
Lagernummer 461
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：32 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вес：6.500007g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 60A, 10 Ω, 15V
- Время отключения：165 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：360W
- Основной номер части：STGW60
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Время задержки включения：67 ns
- Мощность - Макс：360W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：350V
- Максимальный ток сбора：120A
- Время обратной рекомпенсации：62 ns
- Время включения：113 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 60A
- Время выключения (toff)：247 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：206nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：240A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：67ns/165ns
- Переключаемый энергопотребление：1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 461
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
