(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGL200N60B3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- ISOPLUS264™
- IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
Date Sheet
Lagernummer 1391
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：ISOPLUS264™
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：300V, 100A, 1 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：GenX3™
- Опубликовано：2008
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Максимальная потеря мощности：400W
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：IXG*200N60
- Код JESD-30：R-PSIP-T5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：400W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.5V
- Максимальный ток сбора：150A
- Время включения：122 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.5V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff)：730 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：750nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：600A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：44ns/310ns
- Переключаемый энергопотребление：1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Время падения максимальное (tf)：300ns
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1391
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
