(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGT4N250C
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- IGBT 2500V 13A 150W TO268
Date Sheet
Lagernummer 1144
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：2.5kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：1250V, 4A, 20 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：150W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：150W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：6V
- Максимальный ток сбора：13A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：2500V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：6V @ 15V, 4A
- Время выключения (toff)：471 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：57nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：46A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：-/350ns
- Переключаемый энергопотребление：360μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1144
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
