SGL50N60RUFDTU

Name: ON Semiconductor SGL50N60RUFDTU
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (7 reviews)

Lagernummer 10000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-264-3, TO-264AA
Количество контактов：3
Вес：6.756g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：300V, 50A, 5.9 Ω, 15V
Время отключения：66 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：250W
Моментальный ток：40A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：250W
Входной тип：Standard
Время задержки включения：26 ns
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：80A
Время обратной рекомпенсации：100ns
Время включения：119 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.8V @ 15V, 50A
Прямоходящий ток коллектора：80A
Время выключения (toff)：329 ns
Зарядная мощность：145nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：26ns/66ns
Переключаемый энергопотребление：1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8V
Время падения максимальное (tf)：160ns
Высота：26mm
Длина：20mm
Ширина：5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10000

Итого $0.00000