(0)
Изображение служит лишь для справки
IXYH24N90C3D1
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Date Sheet
Lagernummer 31
- 1+： $8.69455
- 10+： $8.20240
- 100+： $7.73811
- 500+： $7.30011
- 1000+： $6.88689
Zwischensummenbetrag $8.69455
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вес：38.000013g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：900V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：450V, 24A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：GenX3™, XPT™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：200W
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：200W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.7V
- Максимальный ток сбора：44A
- Время обратной рекомпенсации：340 ns
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Время включения：60 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 24A
- Время выключения (toff)：215 ns
- Зарядная мощность：40nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：105A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：20ns/73ns
- Переключаемый энергопотребление：1.35mJ (on), 400μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 31
- 1+： $8.69455
- 10+： $8.20240
- 100+： $7.73811
- 500+： $7.30011
- 1000+： $6.88689
Итого $8.69455
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
