Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IXGK120N60B3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-264-3, TO-264AA
- DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:1 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):280A
- Количество элементов:1
- Условия испытания:480V, 100A, 2 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Серия:GenX3™
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:3
- Положение терминала:SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:780W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Время обратной рекомпенсации:87ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600V
- Максимальная потеря мощности (абс.):780W
- Время включения:123 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff):520 ns
- Тип ИGBT:PT
- Зарядная мощность:465nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):600A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:40ns/227ns
- Переключаемый энергопотребление:2.9mJ (on), 3.5mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000