FGB40N60SM

Name: ON Semiconductor FGB40N60SM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 8

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 40A, 6 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：349W
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：FGB40N60
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Время подъёма макс：28ns
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：349W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：80A
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：37 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)：132 ns
Тип ИGBT：Field Stop
Зарядная мощность：119nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：12ns/92ns
Переключаемый энергопотребление：870μJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Время падения максимальное (tf)：17ns
Высота：4.83mm
Длина：10.67mm
Ширина：9.65mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 8

Итого $0.00000