(0)
Изображение служит лишь для справки
STGB20NB37LZT4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 2
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：425V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：250V, 20A, 1k Ω, 4.5V
- Время отключения：2 μs
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerMESH™
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：200W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Моментальный ток：20A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：STGB20
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：200W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Время задержки включения：2.3 μs
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：375V
- Максимальный ток сбора：40A
- Непрерывный ток стока (ID)：20A
- Максимальное напряжение разрушения：425V
- Время включения：2900 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 4.5V, 20A
- Время выключения (toff)：15000 ns
- Зарядная мощность：51nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：80A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：2.3μs/2μs
- Переключаемый энергопотребление：11.8mJ (off)
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：2V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
