![](https://static.whisyee.com/fimg/infineontechnologies-sigc109t120r3lex1sa2-5507.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SIGC109T120R3LEX1SA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- Die
- IGBT 1200V 100A DIE
Date Sheet
Lagernummer 767
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:Die
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2014
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-40°C
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Входной тип:Standard
- Без галогенов:Halogen Free
- Напряжение стока-исток (Vdss):1.2kV
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.2kV
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:1.2kV
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 100A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):300A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:6.5V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 767
Итого $0.00000